Полупроводники, Диоды, RF Vishay General Semiconductor - Diodes Division SOD-123
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100