Полупроводники, Диоды, RF NXP USA Inc. SOT-23 (TO-236AB)
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
- Тип диода: PIN - 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 0.425pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Сопротивление @ If, F: 350mOhm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
- Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 175V
- Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
- Тип диода: PIN - 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 5V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
- Тип диода: Standard - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
- Тип диода: PIN - 1 Pair Common Anode
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 175V
- Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
- Тип диода: PIN - 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 175V
- Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
- Тип диода: PIN - 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
- Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
- Емкость @ Vr, F: 0.325pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 60V
- Сопротивление @ If, F: 1.3Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100