Полупроводники, Диоды, RF NXP USA Inc. DFN1006-2
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-882
- Тип корпуса: DFN1006-2
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW
- Обратное пиковое напряжение: 60V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-882
- Тип корпуса: DFN1006-2
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.28pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100