Найдено: 67
  • RF DIODE PIN 50V 240MW SOT323-3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 50mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 240mW
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 50V 415MW SOD523
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: SOD-523
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.25pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 415mW
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 50V 150MW SOD2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOD-882
    • Тип корпуса: SOD2
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 50mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 3Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 60V 715MW SOD523
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: SOD-523
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 50mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 715mW
    • Обратное пиковое напряжение: 60V
    • Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 60V 150MW SOD2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOD-882
    • Тип корпуса: SOD2
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
    • Обратное пиковое напряжение: 60V
    • Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 50V 135MW SOD2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOD-882
    • Тип корпуса: SOD2
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 135mW
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SILICON PIN DIODE
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 60V 140MW SOD2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOD-882
    • Тип корпуса: SOD2
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 140mW
    • Обратное пиковое напряжение: 60V
    • Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 50V 260MW SOT323-3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 260mW
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BAND-SWITCHING DIODE
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 50V 715MW SOD523
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: SOD-523
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 50mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 715mW
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 175V 250MW TO236AB
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Тип диода: PIN - 1 Pair Common Anode
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 175V
    • Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 30V 135MW SOD2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOD-882
    • Тип корпуса: SOD2
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.37pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 135mW
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Сопротивление @ If, F: 350mOhm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 175V 250MW TO236AB
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Тип диода: PIN - 1 Pair Common Cathode
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 175V
    • Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BA591 - MIXER DIODE, VERY HIGH F
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-76, SOD-323
    • Тип корпуса: SOD-323
    • Тип диода: Standard - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW
    • Обратное пиковое напряжение: 35V
    • Сопротивление @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: