- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWERMITE®
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-216AA
- Тип корпуса: DO-216
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 100MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 50mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWERMITE®
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-216AA
- Тип корпуса: DO-216
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.6pF @ 100V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWERMITE®
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-216AA
- Тип корпуса: DO-216
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.6pF @ 100V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWERMITE®
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-216AA
- Тип корпуса: DO-216
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 100MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 50mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWERMITE®
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-216AA
- Тип корпуса: DO-216
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.6pF @ 100V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TA)
- Тип диода: PIN - Single
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W
- Обратное пиковое напряжение: 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWERMITE®
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-216AA
- Тип корпуса: DO-216
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.6pF @ 100V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100