- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Тип диода: Schottky - 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 110mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Тип диода: Schottky - 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 110mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
- Сопротивление @ If, F: 5.5Ohm @ 50mA, 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-882
- Тип корпуса: PG-TSLP-2-7
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 150V
- Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-4-7
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 20mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 40V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Тип диода: PIN - 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 150V
- Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: PG-SC79-2
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип диода: PIN - PI Element
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 140mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 12Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Тип диода: PIN - 1 Pair Common Anode
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 150V
- Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: PG-SCD80-2
- Тип диода: Standard - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: PG-SOT363-PO
- Тип диода: Schottky - 3 Independent
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 130mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
- Обратное пиковое напряжение: 8V
- Сопротивление @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 0201 (0603 Metric)
- Тип корпуса: PG-TSSLP-2-1
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 20mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 40V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Тип диода: Schottky - 1 Pair Series Connection
- Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 130mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
- Сопротивление @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100