Найдено: 212
  • DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323
    • Тип диода: Schottky - 1 Pair Series Connection
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
    • Ток, макс.: 110mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
    • Обратное пиковое напряжение: 4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 50V 250MW SC79-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: PG-SC79-2
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 50V 250MW SOT323-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323
    • Тип диода: PIN - 1 Pair Common Cathode
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: PG-SOT23
    • Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 150V
    • Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323
    • Тип диода: PIN - 1 Pair Common Anode
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 150V
    • Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOD-882
    • Тип корпуса: PG-TSLP-2-7
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 80V
    • Сопротивление @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323
    • Тип диода: Schottky - 1 Pair Common Cathode
    • Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
    • Ток, макс.: 130mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
    • Обратное пиковое напряжение: 4V
    • Сопротивление @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 50V 250MW SOT23-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: PG-SOT23
    • Тип диода: PIN - 1 Pair Common Cathode
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PIN DIODE, 150V V(BR)
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: PG-SOT23
    • Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
    • Емкость @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 200mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 150V
    • Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
    • Тип диода: Schottky - 1 Bridge
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
    • Ток, макс.: 110mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
    • Обратное пиковое напряжение: 4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 50V 250MW SCD80
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-80
    • Тип корпуса: SCD-80
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOT343
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-4-1
    • Тип диода: Schottky - 2 Independent
    • Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
    • Ток, макс.: 20mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
    • Обратное пиковое напряжение: 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE STANDARD 35V SCD80
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-80
    • Тип корпуса: SCD-80
    • Тип диода: Standard - Single
    • Емкость @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Обратное пиковое напряжение: 35V
    • Сопротивление @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323-3
    • Тип диода: Schottky - 1 Pair Common Cathode
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
    • Ток, макс.: 110mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
    • Обратное пиковое напряжение: 4V
    • Сопротивление @ If, F: 5.5Ohm @ 50mA, 1MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PIN DIODE, 80V V(BR)
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOD-882
    • Тип корпуса: PG-TSLP-2-7
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 80V
    • Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: