- Производитель
- Средний выпрямленный ток (Io)
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 9A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 2A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 123pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1.5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 150ns
- Ток утечки: 5µA @ 400V
- Емкость @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-123W
- Тип корпуса: SOD-123W
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 490mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 4.4ns
- Ток утечки: 50µA @ 40V
- Емкость @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 920mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 25ns
- Ток утечки: 5µA @ 150V
- Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F-2FS
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A (DC)
- Прямое напряжение: 1.75V @ 8A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AA, SMB
- Тип корпуса: DO-214AA (SMB)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A
- Прямое напряжение: 1.05V @ 2A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 25ns
- Ток утечки: 2µA @ 150V
- Емкость @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 1V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 50ns
- Ток утечки: 10µA @ 100V
- Емкость @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: SUPERECTIFIER®
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 800mA
- Прямое напряжение: 1.3V @ 800mA
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 2µs
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: PowerDI™ 5
- Тип корпуса: PowerDI™ 5
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 5A
- Прямое напряжение: 800mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3.5µA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: POWERDI®123
- Тип корпуса: PowerDI™ 123
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A
- Прямое напряжение: 650mV @ 3A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 50µA @ 20V
- Емкость @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 125°C
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Прямое напряжение: 750mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 500µA @ 60V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 20A (DC)
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/608
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-254AA
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Прямое напряжение: 750mV @ 15A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 45V
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 15A
- 10
- 15
- 50
- 100