• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69821
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
CDBF0530-HF DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 1005 Comchip Technology 1005 (2512 Metric) 500mA Schottky Surface Mount 1005/SOD-323F Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 20V 100pF @ 0V, 1MHz 470mV @ 500mA 20V 125°C (Max)
IDH15S120AKSA1 DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO220-2 Infineon Technologies TO-220-2 15A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole PG-TO220-2-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 360µA @ 1200V 750pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 15A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C CoolSiC™+
S2180 RECTIFIER Microsemi Corporation
NTE624 R-SI DUAL 600V 6A 250NS NTE Electronics, Inc
FFPF06U20DPTU DIODE ARRAY GP 200V 6A TO220F onsemi TO-220-3 Full Pack Standard Through Hole TO-220F-3 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6µA @ 200V 1.2V @ 6A 200V 35ns -65°C ~ 150°C 1 Pair Common Anode 6A
FFSH1065B-F085 650V 10A SIC SBD GEN1.5 onsemi TO-247-2 11.5A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 40µA @ 650V 421pF @ 1V, 100kHz 650V 0ns -55°C ~ 175°C Automotive, AEC-Q101
SBM260VAL-AU_R1_000A1 SOD-123FL, SKY Panjit International Inc. SOD-123F 2A Schottky Surface Mount SOD-123FL Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 60V 100pF @ 4V, 1MHz 540mV @ 2A 60V -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
P3D06016I2 DIODE SCHOTTKY 600V 16A TO220I-2 PN Junction Semiconductor TO-220I-2 28A (DC) Silicon Carbide Schottky TO-220I-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 45 µA @ 650 V 650V 0ns -55°C ~ 175°C (TJ) P3D
STTH20R04W DIODE GEN PURP 400V 20A DO247 STMicroelectronics DO-247-2 (Straight Leads) 20A Standard Through Hole DO-247 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20µA @ 400V 1.7V @ 20A 400V 45ns 175°C (Max)
S1DL MHG DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB 1A Standard Surface Mount Sub SMA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 200V 9pF @ 4V, 1MHz 1.1V @ 1A 200V 1.8µs -55°C ~ 175°C
MBR40150PT C0G DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO247 Taiwan Semiconductor Corporation TO-247-3 Schottky Through Hole TO-247AD (TO-3P) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 150V 1.01V @ 40A 150V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 40A
VS-12CWQ04FNTRR-M3 DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 6A DPAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schottky Surface Mount D-PAK (TO-252AA) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 3mA @ 40V 680mV @ 12A 40V 150°C (Max) 1 Pair Common Cathode 6A
VS-UFB201FA40 DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SOT-227-4, miniBLOC Standard Chassis Mount SOT-227 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 400V 1.59V @ 100A 400V 80ns -55°C ~ 175°C 2 Independent 120A
NSB8AT-E3/45 DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8A Standard Surface Mount TO-263AB (D²PAK) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 55pF @ 4V, 1MHz 1.1V @ 8A 50V -55°C ~ 150°C
VS-12CWQ10FNTRPBF DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schottky Surface Mount D-PAK (TO-252AA) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 100V 800mV @ 6A 100V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 6A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.

В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.

Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.