• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69821
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
CMSH5-200HV TR13 PBFREE DIODE SCHOTTKY 200V 5A SMC Central Semiconductor Corp DO-214AB, SMC 5A Schottky Surface Mount SMC Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 200V 900mV @ 5A 200V -60°C ~ 175°C
1N4152 TR DIODE Central Semiconductor Corp DO-204AH, DO-35, Axial 150mA Standard Through Hole DO-35 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 nA @ 40 V 2pF @ 0V, 1MHz 880mV @ 20mA 40V 4ns -65°C ~ 200°C
B250BE-13 DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMB Diodes Incorporated DO-214AA, SMB 2A Schottky Surface Mount SMB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 50V 75pF @ 4V, 1MHz 650mV @ 2A 50V -55°C ~ 150°C
1N4936L-T DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 Diodes Incorporated DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-41 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 400V 15pF @ 4V, 1MHz 1.2V @ 1A 400V 200ns -65°C ~ 150°C
SBR4040CT DIODE ARRAY SBR 40V 20A TO220AB Diodes Incorporated TO-220-3 Super Barrier Through Hole TO-220-3 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 40V 530mV @ 20A 40V -65°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 20A SBR®
MURF30060 DIODE GEN PURP 600V 150A TO244 GeneSiC Semiconductor TO-244AB Standard Chassis Mount TO-244 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 600V 1.7V @ 150A 600V 150ns -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 150A
D650N08TXPSA1 DIODE GEN PURP 800V 650A Infineon Technologies DO-200AA, A-PUK 650A Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 20mA @ 800V 950mV @ 450A 800V -40°C ~ 180°C
MSAD200-12 DIODE MODULE 1.2KV 200A D2 Microsemi Corporation D2 Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 9mA @ 1200V 1.3V @ 300A 1200V 1 Pair Common Anode 200A
RA202036XX DIODE GP 2KV 3600A POWRDISC Powerex Inc. DO-200AD 3600A Standard Chassis Mount Pow-R-Disc Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 200mA @ 2000V 1.15V @ 3000A 2000V 22µs
RJU6054TDPP-AJ#T2 DIODE GEN PURP 600V TO220FP Renesas Electronics America TO-220-2 Full Pack 20A (DC) Standard Through Hole TO-220FP-2L Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 600V 3V @ 20A 600V 25ns 150°C (Max)
HSM88WATL-E SCHOTTKY BARRIER DIODE Renesas Electronics America Inc
BYC10X-600PQ127 HYPERFAST RECTIFIER DIODE Rochester Electronics, LLC
S1KL RFG DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB 1A Standard Surface Mount Sub SMA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 800V 9pF @ 4V, 1MHz 1.1V @ 1A 800V 1.8µs -55°C ~ 175°C
VS-12TQ040SPBF DIODE SCHOTTKY 40V 15A D2PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 15A Schottky Surface Mount TO-263AB (D²PAK) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.75mA @ 40V 900pF @ 5V, 1MHz 560mV @ 15A 40V -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
FESF16ATHE3_A/P DIODE GEN PURP 50V 16A ITO220AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab 16A Standard Through Hole ITO-220AC Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 975mV @ 16A 50V 35ns -65°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.

В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.

Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.