• Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 206
  • MMBD4448
    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDLL4151
    DIODE GEN PURP 75V 200MA LL34
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
    • Тип корпуса: SOD-80
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 50mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 50nA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDLL914A
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
    • Тип корпуса: SOD-80
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 20mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N916ATR
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 20mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4152TR
    DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 880mV @ 20mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 50nA @ 30V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4448TR
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDH333_T50R
    DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 125V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1.15V @ 300mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 3nA @ 125V
    • Емкость @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BAS21
    RECTIFIER DIODE, 0.2A, 200V V(RR
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 200mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 50ns
    • Ток утечки: 100nA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBD1501A
    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 10nA @ 180V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMSD4148_G
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOD-123
    • Тип корпуса: SOD-123
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 10mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BAR43
    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 800mV @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 5ns
    • Ток утечки: 500nA @ 25V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBD1401
    DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 200mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 50ns
    • Ток утечки: 100nA @ 175V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDH333
    DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 125V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1.15V @ 300mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 3nA @ 125V
    • Емкость @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N485B_T50R
    DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 100mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Ток утечки: 25nA @ 175V
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBD1201
    DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 200mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 50nA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100