-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-87
- Тип корпуса: MELF
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 550mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 30V
- Емкость @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 2-XDFN
- Тип корпуса: DSN1006-2
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 730mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 2.4ns
- Ток утечки: 30µA @ 60V
- Емкость @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-87
- Тип корпуса: MELF
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 450mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Емкость @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN2020D-3
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 375mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 50ns
- Ток утечки: 335 µA @ 20 V
- Емкость @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 3-PowerUDFN
- Тип корпуса: 3-HUSON (2x2)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 375mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 50ns
- Ток утечки: 1.9mA @ 20V
- Емкость @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 2-XDFN
- Тип корпуса: DFN1608D-2
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 600mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 3ns
- Ток утечки: 4µA @ 1V
- Емкость @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-87
- Тип корпуса: MELF
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 450mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Емкость @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-87
- Тип корпуса: MELF
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 600mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 40V
- Емкость @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 125°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100