Найдено: 10
  • DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 150A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 150A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1700V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 150A TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-1
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A (DC)
    • Прямое напряжение: 2V @ 100A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 120ns
    • Ток утечки: 40µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.41V @ 45A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 150A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A (DC)
    • Прямое напряжение: 2.15V @ 150A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.9V @ 150A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.9V @ 150A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Sawn on foil
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 150A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 27µA @ 1700V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 150A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 75A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 108ns
    • Ток утечки: 40µA @ 650V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: