-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SDT10S30 | DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2 | Infineon Technologies | TO-220-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 300V | 600pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 300V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
| IDB10S60C | DIODE SILICON 600V 10A D2PAK | Infineon Technologies | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | PG-TO263-3-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 140µA @ 600V | 480pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
| SDP10S30 | DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-3 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-3 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 300V | 600pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 300V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
| IDB10S60CATMA2 | DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK | Infineon Technologies | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | PG-TO263-3-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 140µA @ 600V | 480pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
| SIDC03D60C8F1SA1 | DIODE SWITCHING 600V 10A WAFER | Infineon Technologies | Die | 10A (DC) | Standard | Surface Mount | Die | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 27µA @ 600V | 1.95V @ 10A | 600V | -40°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100