• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
Найдено: 189
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 3-PI
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AB
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 5A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 27A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 24A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 6A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 5A 2-PIN
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 24.5A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 5A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 37A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 33.2A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 765pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AB
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 20A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 30µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 64.5A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AB
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 4A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 9A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AB
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 30µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 33A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 33A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 825pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 10A 2-P
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 24A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 100µA @ 1700V
    • Емкость @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 9.7A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 4A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 11.6A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 4A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN5
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (4.9x5.75)
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30.5A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 6A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 5A 2-PIN
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 15.4A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 5A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
    • Тип корпуса: TO-220ISO
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 31.2A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: