• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
Найдено: 1782
  • DIODE GEN PURP 200V 40A DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 40A
    • Прямое напряжение: 1V @ 40A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 200ns
    • Ток утечки: 25µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 400V 50A TO244AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-244AB
    • Тип корпуса: TO-244AB
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 50A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 75ns
    • Ток утечки: 25µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 400V 100A TO244AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-244AB
    • Тип корпуса: TO-244AB
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 90ns
    • Ток утечки: 25µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 24mA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A
    • Прямое напряжение: 800mV @ 12A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 200ns
    • Ток утечки: 25µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Прямое напряжение: 840mV @ 120A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 80V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 400V 200A TO244
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-244AB
    • Тип корпуса: TO-244
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 200A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 180ns
    • Ток утечки: 25µA @ 400V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 80V 240A D67
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D-67
    • Тип корпуса: D-67
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 240A
    • Прямое напряжение: 840mV @ 240A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 80V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A
    • Прямое напряжение: 800mV @ 12A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 200ns
    • Ток утечки: 25µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 200V 70A DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 70A
    • Прямое напряжение: 1V @ 70A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 75ns
    • Ток утечки: 25µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 75A
    • Прямое напряжение: 650mV @ 75A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 60V 120A TO249AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-249AB
    • Тип корпуса: TO-249AB
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
    • Прямое напряжение: 750mV @ 120A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 2mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 650V 10A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Серия: SiC Schottky MPS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 26A (DC)
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Емкость @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Three Tower
    • Тип корпуса: Three Tower
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25µA @ 400V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 320A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 300A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 180°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: