• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
Найдено: 1782
  • DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Прямое напряжение: 840mV @ 160A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 160A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 50V 50A TO244
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-244AB
    • Тип корпуса: TO-244
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 50A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 75ns
    • Ток утечки: 25µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 80V 300A TO244AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-244AB
    • Тип корпуса: TO-244AB
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Прямое напряжение: 840mV @ 250A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 80V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Серия: SiC Schottky MPS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 50A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 10µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 800V 70A DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 70A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 70A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 180°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 40V 250A 2TOWER
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Twin Tower
    • Тип корпуса: Twin Tower
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Прямое напряжение: 750mV @ 250A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 35V 60A TO244AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-244AB
    • Тип корпуса: TO-244AB
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
    • Прямое напряжение: 700mV @ 60A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 35V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Three Tower
    • Тип корпуса: Three Tower
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 400A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 400A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 120V
    • Прямое напряжение: 880mV @ 120A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 120V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3TOWER
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Three Tower
    • Тип корпуса: Three Tower
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Прямое напряжение: 880mV @ 300A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 4mA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 80A
    • Прямое напряжение: 650mV @ 80A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 45V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 500V 60A DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 500V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 60A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 60A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY REV 80V DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 35A
    • Прямое напряжение: 840mV @ 35A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.5mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 150V 100A TO244AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-244AB
    • Тип корпуса: TO-244AB
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Прямое напряжение: 880mV @ 100A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Twin Tower
    • Тип корпуса: Twin Tower
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
    • Прямое напряжение: 750mV @ 60A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: