- Средний выпрямленный ток (Io)
- Производитель
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3S06530A | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 2-PI | Global Power Technology Co. Ltd | TO-220-2 | 110A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 2150pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 30A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |
| G3S06530A | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 | 110A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 2150pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 30A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |
| IDWD40G120C5XKSA1 | SIC SCHOTTKY 1200V 40A TO247-2 | Infineon Technologies | TO-247-2 | 110A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 332µA @ 1200V | 2592pF @ 1V, 1MHz | 1.65V @ 40A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
- 10
- 15
- 50
- 100