• Средний выпрямленный ток (Io)
  • Производитель
Найдено: 12
  • DIODE GP 2.2KV 1100A B43 PUK
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Package / Case: DO-200AA, A-PUK
    • Тип корпуса: B-43, Hockey PUK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 2200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.44V @ 1500A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 3.2KV 1100A B-43
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Package / Case: DO-200AA, A-PUK
    • Тип корпуса: B-43, Hockey PUK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 3200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.44V @ 1500A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 35mA @ 3200V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GP 2.8KV 1100A B43 PUK
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Package / Case: DO-200AA, A-PUK
    • Тип корпуса: B-43, Hockey PUK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 2800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.44V @ 1500A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.8KV 1100A MOD
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.11V @ 3000A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 150mA @ 1800V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • THYR / DIODE MODULE DK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: BG-PB70AT-1
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 2200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.11V @ 3000A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 80mA @ 2200V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 2.2KV 1100A MOD
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 2200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.11V @ 3000A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 150mA @ 2200V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 2.2KV 1100A MOD
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 2200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.11V @ 3000A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 80mA @ 2200V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GP 3KV 1100A B43 PUK
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Package / Case: DO-200AA, A-PUK
    • Тип корпуса: B-43, Hockey PUK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 3000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.44V @ 1500A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GP 2.2KV 1100A B43 PUK
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Package / Case: DO-200AA, A-PUK
    • Тип корпуса: B-43, Hockey PUK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 2200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.44V @ 1500A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: DO-200AE
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 6500V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 5.6V @ 2500A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 150mA @ 6500V
    • Рабочая температура перехода: 0°C ~ 140°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 2.5KV 1100A B-43
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Package / Case: DO-200AA, A-PUK
    • Тип корпуса: B-43, Hockey PUK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 2500V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.44V @ 1500A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 35mA @ 2500V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GP 3.2KV 1100A B43 PUK
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Package / Case: DO-200AA, A-PUK
    • Тип корпуса: B-43, Hockey PUK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 3200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1100A
    • Прямое напряжение: 1.44V @ 1500A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: