- Средний выпрямленный ток (Io)
- Производитель
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: PowerDI™ 5
- Тип корпуса: PowerDI™ 5
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 510mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 700µA @ 40V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F-2L
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.15V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 35ns
- Ток утечки: 100µA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
- Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 950mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 35ns
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: SMC Diode Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
- Тип корпуса: TO-277B
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 550mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1.5mA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 150ns
- Ток утечки: 100µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 930mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 975mV @ 5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 35ns
- Ток утечки: 10µA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263AB (D²PAK)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 800mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Powermite®3
- Тип корпуса: Powermite 3
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 510mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 300µA @ 35V
- Емкость @ Vr, F: 700pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 975mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 35ns
- Ток утечки: 10µA @ 100V
- Емкость @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: SMC Diode Solutions
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-2
- Тип корпуса: TO-247AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 30µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Powermite®3
- Тип корпуса: Powermite 3
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 510mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 300µA @ 35V
- Емкость @ Vr, F: 700pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
- Тип корпуса: ITO-220AC
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 710mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 60V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 680mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 300µA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263AB (D²PAK)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5µA @ 800V
- Емкость @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100