- Средний выпрямленный ток (Io)
- Производитель
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PG-TO247-3-41
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 240µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 580pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 950mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 150V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: ITO-220AC
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 90V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 850mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 90V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AB-2L
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AB, SMC
- Тип корпуса: DO-214AB (SMC)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1µA @ 800V
- Емкость @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: SemiQ
- Серия: AMP
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-2
- Тип корпуса: TO-247-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.6V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 25µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: L-FLAT™
- Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 0.47V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 30V
- Емкость @ Vr, F: 530pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: ITO-220AC
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 700mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: ITO-220AC
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 800mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 60V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: PG-TO220-2-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 300V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 300V
- Емкость @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PG-TO247-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 180µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: ITO-220AC
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.3V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 35ns
- Ток утечки: 10µA @ 400V
- Емкость @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: ITO-220AC
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 950mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 150V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: UnitedSiC
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.6V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 220µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.6V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 44 µA @ 650 V
- Емкость @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100