• Средний выпрямленный ток (Io)
  • Производитель
Найдено: 219
  • 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
    Panjit International Inc.
    • Производитель: Panjit International Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 100µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V TO220FP
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220FP-2L
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 3V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 1µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220AC
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 90V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 850mV @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 100µA @ 90V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SIC 10A 1200V TO-220F
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 100µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 10A 400V TO220AC
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: ITO-220AC
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 35ns
    • Ток утечки: 10µA @ 400V
    • Емкость @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220-2
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: Z-Rec®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 2A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220FP-2L
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 3V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 1µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-263AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB (D²PAK)
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 680mV @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 500µA @ 45V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY DO214AB
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AB, SMC
    • Тип корпуса: DO-214AB (SMC)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1µA @ 1000V
    • Емкость @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 35ns
    • Ток утечки: 10µA @ 400V
    • Емкость @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 3A 2-PIN
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 3A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY TO220FP
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AB-2L
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 10µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: L-FLAT™
    • Тип корпуса: L-FLAT™ (4x5.5)
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 470mV @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 30V
    • Емкость @ Vr, F: 530pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 10A ITO220AC
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: ITO-220AC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 550mV @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 500µA @ 40V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: