- Средний выпрямленный ток (Io)
- Производитель
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.5V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PG-TO247-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 180µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 35ns
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 975mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 35ns
- Ток утечки: 10µA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: ITO-220AC
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.3V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 50ns
- Ток утечки: 10µA @ 400V
- Емкость @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: PG-TO220-2-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 140µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 700mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
- Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 570mV @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 800µA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 125µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 325pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panjit International Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252AA
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 100µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: PG-TO220-2-1
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 2.1V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 90µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panjit International Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 70µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: ITO-220AC
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 80ns
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AB-2L
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panjit International Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252AA
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 70µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100