-
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBU1010 | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU | Diodes Incorporated | 4-SIP, GBU | 1kV | 10A | Single Phase | Through Hole | GBU | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 1000V | 1V @ 5A | |
| GBU10A | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU | GeneSiC Semiconductor | 4-SIP, GBU | 50V | 10A | Single Phase | Through Hole | GBU | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 50V | 1.1V @ 10A | |
| GBU1010 | Bridge Rectifier GBU 1KV 10A | MDD | 4-SIP, GBU | 1kV | 10A | Single Phase | Through Hole | GBU | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 10µA @ 1000V | 1V @ 5A | GBU |
| GBU1007 D2G | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU | Taiwan Semiconductor Corporation | 4-SIP, GBU | 1kV | 10A | Single Phase | Through Hole | GBU | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 1000V | 1.1V @ 1.5A |
- 10
- 15
- 50
- 100