Полупроводники, Диоды, Мостовые выпрямители Microsemi Corporation 10A
-
- Тип диода
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, NA
- Тип корпуса: NA
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Ток утечки: 2µA @ 600V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, VJ
- Тип корпуса: VJ
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, VJ
- Тип корпуса: VJ
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, VJ
- Тип корпуса: VJ
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 1100V
- Технология: Avalanche
- Обратное пиковое напряжение: 1.1kV
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 900V
- Технология: Avalanche
- Обратное пиковое напряжение: 900V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, VJ
- Тип корпуса: VJ
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 800V
- Технология: Avalanche
- Обратное пиковое напряжение: 800V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 4-Square, VJ
- Тип корпуса: VJ
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 4-Square, VJ
- Тип корпуса: VJ
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 700V
- Технология: Avalanche
- Обратное пиковое напряжение: 250V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Ток утечки: 200µA @ 600V
- Технология: Silicon Carbide Schottky
- Обратное пиковое напряжение: 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Технология: Silicon Carbide Schottky
- Обратное пиковое напряжение: 1.2kV
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100