- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Средний выпрямленный ток (Io)
- Тип корпуса
-
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: M2-1
- Тип диода: Three Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.9V @ 300A
- Ток утечки: 500µA @ 800V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 800V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 20A
- Прямое напряжение: 1.8V @ 20A
- Ток утечки: 400µA @ 1200V
- Технология: Silicon Carbide Schottky
- Обратное пиковое напряжение: 1.2kV
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: M2
- Тип корпуса: SM2
- Тип диода: Three Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 75A
- Прямое напряжение: 1.6V @ 150A
- Ток утечки: 300µA @ 1600V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1.6kV
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: M3
- Тип корпуса: M3
- Тип диода: Three Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 130A
- Прямое напряжение: 1.8V @ 300A
- Ток утечки: 300µA @ 800V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 800V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: M2-1
- Тип диода: Three Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 50A
- Прямое напряжение: 1.8V @ 150A
- Ток утечки: 300µA @ 800V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 800V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, NB
- Тип корпуса: NB
- Тип диода: Single Phase
- Прямое напряжение: 1.2V @ 10A
- Ток утечки: 20µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: M3-1
- Тип корпуса: M3-1
- Тип диода: Three Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 150A
- Прямое напряжение: 1.4V @ 150A
- Ток утечки: 500µA @ 1200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1.2kV
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, VJ
- Тип корпуса: VJ
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
- Ток утечки: 5µA @ 800V
- Технология: Avalanche
- Обратное пиковое напряжение: 800V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 43A
- Прямое напряжение: 3.1V @ 30A
- Ток утечки: 100µA @ 1200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1.2kV
- 10
- 15
- 50
- 100