- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Средний выпрямленный ток (Io)
- Тип корпуса
-
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
679-1 | BRIDGE RECT 1PHASE 100V NB | Microchip Technology | 4-Square, NB | 100V | Single Phase | Surface Mount | NB | Standard | -65°C ~ 150°C (TJ) | 20µA @ 100V | 1.2V @ 10A | |
APT75DL120HJ | BRIDGE RECT 1P 1.2KV 75A SOT227 | Microchip Technology | SOT-227-4, miniBLOC | 1.2kV | 75A | Single Phase | Chassis Mount | SOT-227 | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 250µA @ 1200V | 2.1V @ 75A |
695-1 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
678-4 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
684-6 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
803-1 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
684-2 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
MSC50DC120HJ | PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227 | Microchip Technology | SOT-227-4, miniBLOC | 1.2kV | Single Phase | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) | Silicon Carbide Schottky | -55°C ~ 175°C (TJ) | 200µA @ 1200V | ||
MSCDC50H1701AG | PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F | Microchip Technology | Module | 1.7kV | Single Phase | Chassis Mount | SP1F | Silicon Carbide Schottky | -40°C ~ 175°C (TJ) | 200µA @ 1700V | ||
1N4437FS | STD RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
1N4436 | SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
MSCDC50H701AG | PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F | Microchip Technology | Module | 700 V | Three Phase | Chassis Mount | SP1F | Silicon Carbide Schottky | -40°C ~ 175°C (TJ) | 200µA @ 700V | ||
684-5 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
696-6 | BRIDGES | Microchip Technology | ||||||||||
801-4 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology |
- 10
- 15
- 50
- 100