- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Средний выпрямленный ток (Io)
- Тип корпуса
-
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT100DL60HJ | BRIDGE RECT 1P 600V 100A SOT227 | Microchip Technology | SOT-227-4, miniBLOC | 600V | 100A | Single Phase | Chassis Mount | SOT-227 | Standard | -55°C ~ 175°C (TJ) | 250µA @ 600V | 2V @ 100A |
| 1N4438FS | STD RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
| 680-6 | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A NA | Microchip Technology | 4-Square, NA | 600V | 10A | Single Phase | Surface Mount | NA | Standard | -65°C ~ 150°C (TJ) | 2µA @ 600V | |
| 483-3 | 3 PHASE BRIDGE | Microchip Technology | ||||||||||
| 696-4 | BRIDGES | Microchip Technology | ||||||||||
| MSC50DC70HJ | PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227 | Microchip Technology | SOT-227-4, miniBLOC | 700 V | Single Phase | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) | Silicon Carbide Schottky | -55°C ~ 175°C (TJ) | 200µA @ 700V | ||
| 801-2 | SINGLE PHASE BRIDGE | Microchip Technology | ||||||||||
| 696-1 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
| MSCDC200H170AG | PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | Microchip Technology | Module | 1.7kV | Single Phase | Chassis Mount | SP6C | Silicon Carbide Schottky | -40°C ~ 175°C (TJ) | 800 µA @ 1700 V | ||
| 683-5 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
| 697-4 | BRIDGES | Microchip Technology | ||||||||||
| APT60DF20HJ | BRIDGE RECT 1P 200V 90A SOT227 | Microchip Technology | SOT-227-4, miniBLOC | 200V | 90A | Single Phase | Chassis Mount | SOT-227 | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 250µA @ 200V | 1.15V @ 60A |
| 469-05 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
| MSCDC100H120AG | PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | Microchip Technology | Module | 1.2kV | Single Phase | Chassis Mount | SP6C | Silicon Carbide Schottky | -40°C ~ 175°C (TJ) | 400µA @ 1200V | ||
| 684-4 | SINGLE PHASE BRIDGE | Microchip Technology |
- 10
- 15
- 50
- 100