- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Средний выпрямленный ток (Io)
- Тип корпуса
-
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4436T | STD RECTIFIER | Microchip Technology | Module | 200V | 10A | Single Phase | QC Terminal | Standard | -65°C ~ 160°C (TA) | 10µA @ 200V | 1.2V @ 10A | |
| 682-6 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
| 469-4 | SINGLE PHASE BRIDGE | Microchip Technology | ||||||||||
| 695-5 | BRIDGES | Microchip Technology | ||||||||||
| 801-3 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
| 1N4436FT | STD RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
| 483-1 | 3 PHASE BRIDGE | Microchip Technology | ||||||||||
| 683-4 | SINGLE PHASE BRIDGE | Microchip Technology | ||||||||||
| APTDR40X1601G | BRIDGE RECT 3PHASE 1.6KV 40A SP1 | Microchip Technology | SP1 | 1.6kV | 40A | Three Phase | Chassis Mount | SP1 | Standard | -40°C ~ 150°C (TJ) | 20µA @ 1600V | 1.3V @ 40A |
| MSCDC50X1201AG | PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F | Microchip Technology | Module | 1.2kV | Three Phase | Chassis Mount | SP1F | Silicon Carbide Schottky | -40°C ~ 175°C (TJ) | 200µA @ 1200V | ||
| 695-4 | BRIDGES | Microchip Technology | ||||||||||
| 1N4438FT | STD RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
| MSCDC200H70AG | PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | Microchip Technology | Module | 700 V | Single Phase | Chassis Mount | SP6C | Silicon Carbide Schottky | -40°C ~ 175°C (TJ) | 800 µA @ 700 V | ||
| 683-2 | BRIDGE RECTIFIER | Microchip Technology | ||||||||||
| MSCDC100H70AG | PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | Microchip Technology | Module | 700 V | Single Phase | Chassis Mount | SP6C | Silicon Carbide Schottky | -40°C ~ 175°C (TJ) | 400 µA @ 700 V |
- 10
- 15
- 50
- 100