Полупроводники, Диоды, Мостовые выпрямители GeneSiC Semiconductor GBU
-
- Тип диода
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 15A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 15A
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1kV
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 8A
- Ток утечки: 5µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 5A
- Ток утечки: 5µA @ 600V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 8A
- Ток утечки: 5µA @ 600V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 8A
- Ток утечки: 5µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
- Ток утечки: 5µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 6A
- Ток утечки: 5µA @ 50V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 6A
- Ток утечки: 5µA @ 800V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 800V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 6A
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1kV
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 4A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 4A
- Ток утечки: 5µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 4A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 4A
- Ток утечки: 5µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 6A
- Ток утечки: 5µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 8A
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100