-
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, BR-10
- Тип корпуса: BR-10
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 5A
- Ток утечки: 10µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, KBU
- Тип корпуса: KBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.05V @ 10A
- Ток утечки: 10µA @ 800V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 800V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, KBU
- Тип корпуса: KBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.05V @ 10A
- Ток утечки: 10µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
- Ток утечки: 5µA @ 50V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, KBU
- Тип корпуса: KBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.05V @ 10A
- Ток утечки: 10µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 10A
- Ток утечки: 5µA @ 50V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100