- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Средний выпрямленный ток (Io)
- Тип корпуса
-
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, GBPC-W
- Тип корпуса: GBPC-W
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 25A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 1.2A
- Ток утечки: 5µA @ 800V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 800V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: QC Terminal
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, GBPC
- Тип корпуса: GBPC
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 50A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 25A
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1kV
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, BR-10
- Тип корпуса: BR-10
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 5A
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, KBPM
- Тип корпуса: KBPM
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 3A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 3A
- Ток утечки: 5µA @ 50V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
- Тип корпуса: DB
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 1.5A
- Ток утечки: 5µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 5A
- Ток утечки: 5µA @ 600V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, GBPC-W
- Тип корпуса: GBPC-W
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 50A
- Прямое напряжение: 1.2V @ 25A
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 8A
- Ток утечки: 5µA @ 600V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, BR-6
- Тип корпуса: BR-6
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1V @ 3A
- Ток утечки: 10µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, KBPC-W
- Тип корпуса: KBPC-W
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 35A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 17.5A
- Ток утечки: 5µA @ 50V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, KBPC-W
- Тип корпуса: KBPC-W
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 50A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 25A
- Ток утечки: 5µA @ 50V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: QC Terminal
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, KBPC-T
- Тип корпуса: KBPC
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 15A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 7.5A
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, KBL
- Тип корпуса: KBL
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 6A
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, KBPC-W
- Тип корпуса: KBPC-W
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 25A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 12.5A
- Ток утечки: 5µA @ 800V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 800V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
- Тип корпуса: DB
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 1.5A
- Ток утечки: 5µA @ 800V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 800V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100