- Тип корпуса
- Производитель
- Тип диода
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Прямое напряжение
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VS-70MT160P-P | BRIDGE RECT 3P 1.6KV 75A 12MTP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 12-MTP Module | 1.6kV | 75A | Three Phase | Chassis Mount | 12-MTP Pressfit | Standard | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| VS-100MT160P-P | BRIDGE RECT 3P 1.6KV 100A 12MTP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 12-MTP Module | 1.6kV | 100A | Three Phase | Chassis Mount | 12-MTP Pressfit | Standard | -40°C ~ 150°C (TJ) | 1.51V @ 100A |
| VS-40MT160P-P | BRIDGE RECT 3P 1.6KV 45A 12MTP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 12-MTP Module | 1.6kV | 45A | Three Phase | Chassis Mount | 12-MTP Pressfit | Standard | -40°C ~ 150°C (TJ) | 1.51V @ 100A |
- 10
- 15
- 50
- 100