- Тип корпуса
- Производитель
- Тип диода
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CR6A4 BK | TRANSISTOR | Central Semiconductor Corp | 106, Axial | 6A | Standard | Through Hole | 106 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 400V | 1V @ 6A | 400V | -65°C ~ 175°C | |
CR6AF2 BK | TRANSISTOR | Central Semiconductor Corp | 106, Axial | 6A | Standard | Through Hole | 106 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 200V | 1.2V @ 6A | 200V | 200ns | -65°C ~ 175°C |
CR6AF2GPP BK | TRANSISTOR | Central Semiconductor Corp | 106, Axial | 6A | Standard | Through Hole | 106 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 200V | 1.3V @ 6A | 200V | 200ns | -65°C ~ 175°C |
CR6A4 TR | TRANSISTOR | Central Semiconductor Corp | 106, Axial | 6A | Standard | Through Hole | 106 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 400V | 1V @ 6A | 400V | -65°C ~ 175°C | |
CR6A4GPP BK | TRANSISTOR | Central Semiconductor Corp | 106, Axial | 6A | Standard | Through Hole | 106 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 400V | 1V @ 6A | 400V | -65°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100