• Тип корпуса
  • Производитель
  • Тип диода
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 110
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
CD1005-Z24 DIODE ZENER 24V 200MW 1005 Bourns Inc. 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C 200mW 24V 80 Ohms 100nA @ 18V
TSS54L RWG DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) 200mA Schottky Surface Mount 1005 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 2µA @ 25V 10pF @ 1V, 1MHz 1V @ 100mA 30V 5ns -65°C ~ 125°C
TSZL52C24 RWG DIODE ZENER 24V 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 24V 80 Ohms 100nA @ 18V 900mV @ 10mA
TSZL52C4V3-F0 RWG DIODE ZENER 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 4.3V 95 Ohms 5µA @ 1V 900mV @ 10mA
TSZL52C8V2-F0 RWG DIODE ZENER 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 8.2V 7 Ohms 100nA @ 6V 900mV @ 10mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100