• Тип корпуса
  • Производитель
  • Тип диода
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 110
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
CD1005-B0230 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005 Bourns Inc. 1005 (2512 Metric) 200mA Schottky Surface Mount 1005 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 30µA @ 30V 12pF @ 10V, 1MHz 500mV @ 200mA 30V -40°C ~ 125°C
CD1005-Z11 DIODE ZENER 11V 200MW 1005 Bourns Inc. 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C 200mW 11V 20 Ohms 100nA @ 8.5V
CD1005-Z30 DIODE ZENER 30V 200MW 1005 Bourns Inc. 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C 200mW 30V 80 Ohms 100nA @ 23V
CD1005-Z29 DIODE ZENER 29V 200MW 1005 Bourns Inc. 1005 (2512 Metric) Surface Mount 1005 -55°C ~ 125°C 200mW 29V 80 Ohms 100nA @ 29V
CD1005-Z3V9 DIODE ZENER 3.9V 200MW 1005 Bourns Inc. 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C 200mW 3.9V 95 Ohms 10µA @ 1V
TSZL52C6V2 RWG DIODE ZENER 6.2V 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 6.2V 10 Ohms 100nA @ 2V 900mV @ 10mA
TSZL52C3V3-F0 RWG DIODE ZENER 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 3.3V 95 Ohms 25µA @ 1V 900mV @ 10mA
TSZL52C4V7 RWG DIODE ZENER 4.7V 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 4.7V 78 Ohms 5µA @ 2V 900mV @ 10mA
TSZL52C11 RWG DIODE ZENER 11V 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 11V 20 Ohms 100nA @ 8.5V 900mV @ 10mA
TSZL52C9V1 RWG DIODE ZENER 9.1V 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 9.1V 10 Ohms 100nA @ 7V 900mV @ 10mA
TSZL52C33-F0 RWG DIODE ZENER 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 33V 80 Ohms 100nA @ 25V 900mV @ 10mA
TSS43L RWG DIODE SCHOTTKY 30V 200A 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) 200mA Schottky Surface Mount 1005 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500nA @ 25V 10pF @ 1V, 1MHz 450mV @ 15mA 30V 5ns -55°C ~ 125°C
TSZL52C11-F0 RWG DIODE ZENER 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 11V 20 Ohms 100nA @ 8.5V 900mV @ 10mA
TSZL52C12-F0 RWG DIODE ZENER 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 12V 20 Ohms 100nA @ 9V 900mV @ 10mA
TSZL52C3V3 RWG DIODE ZENER 3.3V 200MW 1005 Taiwan Semiconductor Corporation 1005 (2512 Metric) Surface Mount ±5% 1005 -55°C ~ 125°C (TJ) 200mW 3.3V 95 Ohms 25µA @ 1V 900mV @ 10mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100