• Тип корпуса
  • Производитель
  • Тип диода
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
DB2G42900L1 DIODE SCHOTTKY 40V 1A 0402 Panasonic Electronic Components 0402 (1005 Metric) 1A Schottky Surface Mount 0402 (1005 Metric) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150µA @ 40V 28pF @ 10V, 1MHz 520mV @ 1A 40V 8.8ns 150°C (Max)
DB2G32600L1 DIODE SCHOTTKY 30V 1A 0402 Panasonic Electronic Components 0402 (1005 Metric) 1A Schottky Surface Mount 0402 (1005 Metric) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 900µA @ 30V 32pF @ 10V, 1MHz 440mV @ 1A 30V 10ns 150°C (Max)
DB2G40800L1 DIODE SCHOTTKY 40V 1A 0402 Panasonic Electronic Components 0402 (1006 Metric) 1A Schottky Surface Mount 0402 (1005 Metric) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1200µA @ 40V 28pF @ 10V, 1MHz 460mV @ 1A 40V 8.8ns 150°C (Max)
DB2G32500L1 DIODE SCHOTTKY 30V 1A 0402 Panasonic Electronic Components 0402 (1005 Metric) 1A Schottky Surface Mount 0402 (1005 Metric) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300µA @ 30V 34pF @ 10V, 1MHz 480mV @ 1A 30V 10.3ns 150°C (Max)
DB2G42600L1 DIODE SCHOTTKY 40V 1A 0402 Panasonic Electronic Components 0402 (1006 Metric) 1A Schottky Surface Mount 0402 (1005 Metric) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30µA @ 40V 28pF @ 10V, 1MHz 600mV @ 1A 40V 8.7ns 150°C (Max)
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100