• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
Найдено: 1196
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
UF5400 R-50V 3A ULTRA FAST NTE Electronics, Inc
NTE5344 R-SI BRIDGE 1000V 40A NTE Electronics, Inc 4-Square 1000V 40A Single Phase QC Terminal Standard 175°C (TJ) 10µA @ 1000V 1.2V @ 20A
NTE6034 R-400 PRV 60A CATH CASE NTE Electronics, Inc
1N5357B ZD 20V 5W NTE Electronics, Inc T-18, Axial Through Hole ±5% Axial -65°C ~ 200°C 5W 20V 3 Ohms 500nA @ 15.2V 1.2V @ 1A
1N752A ZD 5.6V 1/2W NTE Electronics, Inc DO-204AH, DO-35, Axial Through Hole ±5% DO-35 -65°C ~ 200°C 500mW 5.6V 11 Ohms 1µA @ 1V 1.5V @ 200mA
NTE642 R-SCHOTTKY 100V 2A SUR MT NTE Electronics, Inc
NTE5266A ZD-27.0V 50W NTE Electronics, Inc
NTE5921 R-400PRV 20A ANODE CASE NTE Electronics, Inc
1N5817 R-SCHOTTKY 20V 1A NTE Electronics, Inc DO-204AL, DO-41, Axial 1A Schottky Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 20V 110pF @ 4V, 1MHz 450mV @ 1A 20V -65°C ~ 125°C
NTE6059 R-300 PRV 70A ANODE CASE NTE Electronics, Inc
NTE5214AK ZENER-62.0V 10W KK NTE Electronics, Inc
NTE5014A ZD-6.8 V 1/2W NTE Electronics, Inc
NTE168 R-SI BRIDGE 400V 2A NTE Electronics, Inc 4-SIP 400V 2A Single Phase Through Hole 4-SIP Standard -55°C ~ 165°C (TJ) 10µA @ 400V 1.1V @ 2A
NTE5324 R-SI BRIDGE 400V 25A NTE Electronics, Inc 4-Square 400V 25A Single Phase QC Terminal Standard -55°C ~ 125°C (TJ) 10µA @ 400V 1.1V @ 12.5A
NTE528 R-5 STEP TRIPLER NTE Electronics, Inc