Полупроводники, Диоды Microsemi Corporation D3Pak

    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
  • MSC030SDA120S
    UNRLS, FG, GEN2, SIC SBD, TO-268
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: D3Pak
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30A (DC)
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT20SCD120S
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: D3Pak
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 68A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 20A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 400µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 1135pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT60S20SG/TR
    DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: D3Pak
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 75A
    • Прямое напряжение: 900mV @ 60A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 55ns
    • Ток утечки: 1mA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSC050SDA070S
    GEN2 SIC SBD 700V 50A D3PAK
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: D3Pak
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 88A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 50A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 200µA @ 700V
    • Емкость @ Vr, F: 2034pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT30SCD120S
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: D3Pak
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 99A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 30A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 600µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 2100pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSC030SDA070S
    GEN2 SIC SBD 700V 30A D3PAK
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: D3Pak
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 30A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSC050SDA120S
    UNRLS, FG, GEN2, SIC SBD, TO-268
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: D3Pak
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 50A (DC)
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100