Полупроводники, Диоды Microsemi Corporation D-5D

Найдено: 22
  • DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/609
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: D, Axial
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 300mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 100nA @ 75V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/609
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: D, Axial
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA (DC)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 300mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 100µA @ 75V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 800mV @ 10mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 5ns
    • Ток утечки: 500µA @ 75V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SWITCHING
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 125V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 20ns
    • Ток утечки: 500nA @ 125V
    • Емкость @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 75V 300MA D-MELF
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/578
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 20ns
    • Ток утечки: 500nA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/578
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 5ns
    • Ток утечки: 500nA @ 75V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SWITCHING
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/609
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 200mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 100nA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/609
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 5ns
    • Ток утечки: 100nA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 75V 300MA D-MELF
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/578
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 20ns
    • Ток утечки: 500nA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SWITCHING D-5D
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/578
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 5ns
    • Ток утечки: 500nA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/578
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 6ns
    • Ток утечки: 500nA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SWITCHING
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 5ns
    • Ток утечки: 500nA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SWITCHING
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/609
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 200mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 100nA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 50V 300MA D5D
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/609
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 200mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 100nA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, D
    • Тип корпуса: D-5D
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 5ns
    • Ток утечки: 500nA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: