Полупроводники, Диоды Microsemi Corporation A-PAK

Найдено: 22
  • DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/503
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 850mA
    • Прямое напряжение: 2.04V @ 9.4A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 1µA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 155°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/503
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 850mA
    • Прямое напряжение: 2.04V @ 9.4A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 1µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 155°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/503
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.3A
    • Прямое напряжение: 1.76V @ 18.8A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 5µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 155°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/503
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 850mA
    • Прямое напряжение: 2.04V @ 9.4A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 1µA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 155°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/503
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 850mA
    • Прямое напряжение: 2.04V @ 9.4A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 1µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 155°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/503
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3A
    • Прямое напряжение: 2.04V @ 9.4A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 1µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 155°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 990V 1A D5A
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/585
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 990V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.55V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 50ns
    • Ток утечки: 500nA @ 990V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/429
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 150ns
    • Ток утечки: 500nA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 990V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 18V @ 500mA
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 500nA @ 900V
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/585
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.75V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 1µA @ 1100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 880V 1A D5A
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/585
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 880V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.55V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 50ns
    • Ток утечки: 500nA @ 880V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/503
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 850mA
    • Прямое напряжение: 2.04V @ 9.4A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 1µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 155°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2.5A
    • Прямое напряжение: 875mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 1µA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.2A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 1.2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 45ns
    • Ток утечки: 500nA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/585
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: A, Axial
    • Тип корпуса: A-PAK
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.55V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Ток утечки: 500nA @ 800V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: