Полупроводники, Диоды Microsemi Corporation 16-DIP
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-DIP
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 75V
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 4ns
- Ток утечки: 100µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 8 Independent
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-DIP
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 100mA
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 5ns
- Ток утечки: 100µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 8 Independent
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100