-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV1N6643U | DIODE GEN PURP 75V 300MA D-MELF | Microchip Technology | SQ-MELF, D | 300mA | Standard | Surface Mount | D-5D | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 75V | 5pF @ 0V, 1MHz | 1.2V @ 100mA | 75V | 20ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| JANTX1N6643US | DIODE GEN PURP 125V 300MA D5D | Microchip Technology | SQ-MELF, D | 300mA | Standard | Surface Mount | D-5D | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 50nA @ 20V | 5pF @ 0V, 1MHz | 1.2V @ 100mA | 125V | 6ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| JANS1N6641US | SWITCHING DIODE | Microchip Technology | SQ-MELF, D | 300mA | Standard | Surface Mount | D-5D | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100nA @ 50V | 1.1V @ 200mA | 50V | 5ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/609 | |
| JANTX1N6640US | DIODE GEN PURP 50V 300MA D5D | Microchip Technology | SQ-MELF, D | 300mA | Standard | Surface Mount | D-5D | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100nA @ 50V | 1V @ 200mA | 50V | 4ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/609 | |
| JANS1N6643 | SWITCHING DIODE | Microchip Technology | SQ-MELF, D | 300mA (DC) | Standard | Surface Mount | D-5D | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 150V | 5pF @ 0V, 1MHz | 1.2V @ 100mA | 50V | 6ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| JAN1N6642U | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | Microchip Technology | SQ-MELF, D | 300mA | Standard | Surface Mount | D-5D | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 75V | 1.2V @ 100mA | 75V | 5ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/578 | |
| JAN1N6643US | DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF | Microchip Technology | SQ-MELF, D | 300mA | Standard | Surface Mount | D-5D | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 75V | 5pF @ 0V, 1MHz | 1.2V @ 100mA | 50V | 6ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| JANTXV1N6638 | DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL | Microchip Technology | D, Axial | 300mA | Standard | Through Hole | D-5D | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 125V | 2.5pF @ 0V, 1MHz | 1.1V @ 200mA | 125V | 20ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| JANTXV1N6640US | SWITCHING DIODE | Microchip Technology | SQ-MELF, D | 300mA | Standard | Surface Mount | D-5D | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 90 µA @ 50 V | 1V @ 200mA | 50V | 4ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/609 | |
| 1N6642US | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | Microchip Technology | SQ-MELF, D | 300mA | Standard | Surface Mount | D-5D | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 75V | 5pF @ 0V, 1MHz | 1.2V @ 100mA | 75V | 5ns | -65°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100