-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Допуск
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Мощность - Макс.
|
Напряжение стабилизации
|
Имеданс (Макс) (Zzt)
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANTXV1N4995CUS | ZENER DIODE | Microchip Technology | SQ-MELF, E | Through Hole | ±2% | D-5B | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 360V | 1400 Ohms | 2µA @ 274V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
1N4996US | DIODE ZENER 390V 5W D5B | Microchip Technology | SQ-MELF, B | Surface Mount | ±5% | D-5B | -65°C ~ 175°C | 5W | 390V | 1.8 kOhms | 2µA @ 297V | 1.5V @ 1A | ||||||||
JANS1N4991DUS | ZENER DIODE | Microchip Technology | SQ-MELF, E | Through Hole | ±1% | D-5B | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 240V | 650 Ohms | 2µA @ 182V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
JANS1N4990US | ZENER DIODE | Microchip Technology | SQ-MELF, E | Through Hole | ±5% | D-5B | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 220V | 550 Ohms | 2µA @ 167V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
JANTXV1N5554US/TR | STD RECTIFIER | Microchip Technology | SQ-MELF, B | 3A | Standard | Surface Mount | D-5B | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 1V | 1.3V @ 9A | 1000V | 2µs | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/420 | ||||||
1N4965US/TR | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | E-MELF | Surface Mount | ±5% | D-5B | -65°C ~ 175°C | 5W | 20V | 4.5 Ohms | 2µA @ 15.2V | 1.5V @ 1A | ||||||||
1N4975US | DIODE ZENER 51V 5W D5B | Microchip Technology | E-MELF | Surface Mount | ±5% | D-5B | -65°C ~ 175°C | 5W | 51V | 27 Ohms | 2µA @ 38.8V | 1.5V @ 1A | ||||||||
1N6638U | DIODE GEN PURPOSE | Microchip Technology | SQ-MELF, E | 300mA (DC) | Standard | Surface Mount | D-5B | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 150V | 2.5pF @ 0V, 1MHz | 1.1V @ 200mA | 125V | 4.5ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/578 | |||||
JAN1N4987CUS | DIODE ZENER 160V 5W D5B | Microchip Technology | E-MELF | Surface Mount | ±2% | D-5B | -65°C ~ 175°C | 5W | 160V | 350 Ohms | 2µA @ 121.6V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
JAN1N4989DUS | DIODE ZENER 200V 5W D5B | Microchip Technology | E-MELF | Surface Mount | ±1% | D-5B | -65°C ~ 175°C | 5W | 200V | 500 Ohms | 2µA @ 152V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
1N4960US | DIODE ZENER 12V 5W D5B | Microchip Technology | E-MELF | Through Hole | ±5% | D-5B | -65°C ~ 175°C | 5W | 12V | 2.5 Ohms | 10µA @ 9.1V | 1.5V @ 1A | ||||||||
JANS1N4970US/TR | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | SQ-MELF, E | Through Hole | ±5% | D-5B | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 33V | 10 Ohms | 2µA @ 25.1V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
JANTXV1N6632CUS | ZENER DIODE | Microchip Technology | SQ-MELF, E | Through Hole | ±2% | D-5B | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 3.3V | 3 Ohms | 300µA @ 1V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 | |||||||
JANTXV1N5551US/TR | STD RECTIFIER | Microchip Technology | SQ-MELF, B | 3A | Standard | Surface Mount | D-5B | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 400V | 1.2V @ 9A | 400V | 2µs | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/420 | ||||||
JANTX1N6637CUS | RECTIFIER | Microchip Technology | SQ-MELF, E | Through Hole | ±2% | D-5B | -65°C ~ 175°C (TJ) | 5W | 5.1V | 1.5 Ohms | 5µA @ 1V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/356 |
- 10
- 15
- 50
- 100