-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Допуск
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Мощность - Макс.
|
Напряжение стабилизации
|
Имеданс (Макс) (Zzt)
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JAN1N5622US | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | Microchip Technology | SQ-MELF, A | 1A | Standard | Surface Mount | D-5A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 1000V | 1.3V @ 3A | 1000V | 2µs | -65°C ~ 200°C | Military, MIL-PRF-19500/427 | ||||||
JANTXV1N6621US/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | SQ-MELF, A | 1.2A | Standard | Surface Mount | D-5A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 440V | 1.4V @ 1.2A | 440V | 30ns | -65°C ~ 150°C | Military, MIL-PRF-19500/585 | ||||||
JANS1N6488C | DIODE ZENER 4.3V 1.5W D5A | Microchip Technology | SQ-MELF, A | Through Hole | ±2% | D-5A | -65°C ~ 175°C | 1.5W | 4.3V | 9 Ohms | 5µA @ 1V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/406 | |||||||
JANS1N4467US/TR | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | SQ-MELF, A | Surface Mount | ±5% | D-5A | -65°C ~ 175°C | 1.5W | 12V | 7 Ohms | 200nA @ 9.6V | 1.5V @ 1A | ||||||||
1N6074US/TR | RECTIFIER UFR,FRR | Microchip Technology | SQ-MELF, A | 3A | Standard | Surface Mount | D-5A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 100V | 2.04V @ 9.4A | 100V | 30ns | -65°C ~ 155°C | |||||||
JAN1N4488C | DIODE ZENER 91V 1.5W D5A | Microchip Technology | SQ-MELF, A | Surface Mount | ±2% | D-5A | -65°C ~ 175°C | 1.5W | 91V | 200 Ohms | 250nA @ 72.8V | 1V @ 200mA | Military, MIL-PRF-19500/406 | |||||||
JANS1N4491US/TR | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | SQ-MELF, A | Surface Mount | ±5% | D-5A | -65°C ~ 175°C (TJ) | 1.5W | 120V | 400 Ohms | 250nA @ 96V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/406 | |||||||
JANTX1N4487US/TR | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | SQ-MELF, A | Surface Mount | ±5% | D-5A | -65°C ~ 175°C | 1.5W | 82V | 160 Ohms | 250nA @ 65.6V | 1V @ 200mA | Military, MIL-PRF-19500/406 | |||||||
JAN1N4482US | DIODE ZENER 51V 1.5W D5A | Microchip Technology | SQ-MELF, A | Surface Mount | ±5% | D-5A | -65°C ~ 175°C | 1.5W | 51V | 60 Ohms | 50nA @ 40.8V | 1V @ 200mA | Military, MIL-PRF-19500/406 | |||||||
JANTX1N4490US | DIODE ZENER 110V 1.5W D5A | Microchip Technology | SQ-MELF, A | Surface Mount | ±5% | D-5A | -65°C ~ 175°C | 1.5W | 110V | 300 Ohms | 250nA @ 88V | 1V @ 200mA | Military, MIL-PRF-19500/406 | |||||||
JAN1N4478DUS | DIODE ZENER 36V 1.5W D5A | Microchip Technology | SQ-MELF, A | Surface Mount | ±1% | D-5A | -65°C ~ 175°C | 1.5W | 36V | 27 Ohms | 50nA @ 28.8V | 1V @ 200mA | Military, MIL-PRF-19500/406 | |||||||
JANTXV1N4467US/TR | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | SQ-MELF, A | Surface Mount | ±5% | D-5A | -65°C ~ 175°C | 1.5W | 12V | 7 Ohms | 200nA @ 9.6V | 1.5V @ 1A | Military, MIL-PRF-19500/406 | |||||||
JANTX1N5804US | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | Microchip Technology | SQ-MELF, A | 1A | Standard | Surface Mount | D-5A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 100V | 25pF @ 10V, 1MHz | 875mV @ 1A | 100V | 25ns | -65°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/477 | |||||
JANTXV1N5614US/TR | STD RECTIFIER | Microchip Technology | SQ-MELF, A | 1A | Standard | Surface Mount | D-5A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 200V | 1.3V @ 3A | 200V | 2µs | -65°C ~ 200°C | Military, MIL-PRF-19500/427 | ||||||
1N5621US | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A | Microchip Technology | SQ-MELF, A | 1A | Standard | Surface Mount | D-5A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 800V | 20pF @ 12V, 1MHz | 1.6V @ 3A | 800V | 300ns | -65°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100