Найдено: 274
  • SI LIMITER NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 6V, 1MHz
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    • Сопротивление @ If, F: 2Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 10V, 1MHz
    • Ток, макс.: 10mA
    • Обратное пиковое напряжение: 100V
    • Сопротивление @ If, F: 350mOhm @ 20mA, 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 6.8pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 1pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 7.7
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.7pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Добротность @ Vr, F: 850 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 6V, 1MHz
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    • Сопротивление @ If, F: 2Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 6.8pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI NOISE NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 1pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 14V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.06pF @ 10V, 1MHz
    • Ток, макс.: 10mA
    • Обратное пиковое напряжение: 100V
    • Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 20mA, 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.14pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 6V, 1MHz
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 10W
    • Обратное пиковое напряжение: 120V
    • Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI LIMITER NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.15pF @ 6V, 1MHz
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3W
    • Обратное пиковое напряжение: 45V
    • Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI LIMITER NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.15pF @ 6V, 1MHz
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W
    • Обратное пиковое напряжение: 20V
    • Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 6
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 2500 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.02pF @ 50V, 1GHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3W
    • Обратное пиковое напряжение: 80V
    • Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 100mA, 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: