Найдено: 274
  • SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -65°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.28pF @ 5V, 1MHz
    • Ток, макс.: 1A
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW
    • Обратное пиковое напряжение: 35V
    • Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 10V, 1MHz
    • Ток, макс.: 10mA
    • Обратное пиковое напряжение: 250V
    • Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 20mA, 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI NIP NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.25pF @ 50V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 300V
    • Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 11.5
    • Параметры коэфициента емкости: C2/C20
    • Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: GC15000
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 10pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 10V, 1MHz
    • Ток, макс.: 10mA
    • Обратное пиковое напряжение: 100V
    • Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 20mA, 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.8pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 50V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 1500V
    • Сопротивление @ If, F: 300mOhm @ 500mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.9pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 800 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 10V, 1MHz
    • Ток, макс.: 10mA
    • Обратное пиковое напряжение: 70V
    • Сопротивление @ If, F: 500mOhm @ 20mA, 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PIN NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.06pF @ 10V, 1MHz
    • Ток, макс.: 10mA
    • Обратное пиковое напряжение: 100V
    • Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 20mA, 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 4V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Коэфициент емкости: 3.1
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C30
    • Добротность @ Vr, F: 7500 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI TVAR NON HERMETIC CHIP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: GC15000
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 20V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 22V
    • Коэфициент емкости: 13
    • Параметры коэфициента емкости: C0/C20
    • Добротность @ Vr, F: 700 @ 4V, 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Тип диода: Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 6V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: