• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 610
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
JANTX1N6342US ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±5% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 52.7 V 100 Ohms 50nA @ 43V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANS1N6312US/TR DIODE ZENER 3.3V 500MW MELF Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±5% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 3.3V 27 Ohms 5µA @ 1V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANS1N6344US ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±5% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 68V 155 Ohms 50nA @ 52V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANS1N5811URS RECTIFIER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, B 6A Standard Surface Mount B, SQ-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 875mV @ 4A 150V 30ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/477
JANTX1N6345US DIODE ZENER 75V 500MW MELF Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±5% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C 500mW 75V 180 Ohms 50nA @ 56V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANTX1N6309CUS DIODE ZENER 2.4V 500MW MELF Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±2% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 2.4V 30 Ohms 100µA @ 1V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANTX1N6309US DIODE ZENER 2.4V 500MW MELF Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±5% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C 500mW 2.4V 30 Ohms 100µA @ 1V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
1N5418 DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF Microchip Technology SQ-MELF, B 3A Standard Surface Mount B, SQ-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 400V 1.5V @ 9A 400V 150ns -65°C ~ 175°C
JANS1N6336US ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±5% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 33V 40 Ohms 50nA @ 25V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANTX1N5809US DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF Microchip Technology SQ-MELF, B 3A Standard Surface Mount B, SQ-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 100V 60pF @ 10V, 1MHz 875mV @ 4A 100V 30ns -65°C ~ 175°C Military, MIL-PRF-19500/477
JANTXV1N6354DUS ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±1% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 180V 1500 Ohms 50 nA @ 137 V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
1N6325US DIODE ZENER 11V 500MW MELF Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±5% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C 500mW 11V 7 Ohms 1µA @ 8.5V 1.4V @ 1A
JANS1N6642UB2 SWITCHING DIODE Microchip Technology SQ-MELF, B Standard Surface Mount B, SQ-MELF Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5pF @ 0V, 1MHz 1.2V @ 100mA 20ns
JANTXV1N6355DUS ZENER DIODE Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±1% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 200V 1800 Ohms 50 nA @ 152 V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JANTX1N6313DUS DIODE ZENER 3.6V 500MW MELF Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±1% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C (TJ) 500mW 3.6V 25 Ohms 3µA @ 1V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100