- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Сопротивление @ If, F
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HFA15TB60PBF | HFA15TB60 - SWITCHING AND RECTIF | International Rectifier | TO-220-2 | 15A | Standard | Through Hole | TO-220AC | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 600V | 1.7V @ 15A | 600V | 60ns | -55°C ~ 150°C | HEXFRED® | |||||
| HFA15PB60PBF | PLANAR >= 100V | International Rectifier | TO-247-2 | 15A | Standard | Through Hole | TO-247AC Modified | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 600V | 1.7V @ 15A | 600V | 60ns | -55°C ~ 150°C | HEXFRED® | |||||
| BA89202VH6327XTSA1 | SILICON RF SWITCHING DIODE | International Rectifier | SC-79, SOD-523 | 35V | Standard - Single | PG-SC79-2 | 150°C (TJ) | 100mA | 1.1pF @ 3V, 1MHz | 500mOhm @ 10mA, 100MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100