- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SCD-80
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.52pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 12.7
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: PG-SOT363-PO
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Прямое напряжение: 1.25V @ 150mA
- Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- Время обратного восстановления (trr): 4ns
- Ток утечки: 150nA @ 70V
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
- Конфигурация диода: 2 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200mA (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SCD-80
- Тип диода: Standard - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: DO-200AE
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 4000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 4870A
- Прямое напряжение: 1.27V @ 4000A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 100mA @ 4000V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 160°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: PG-TO220-2-2
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 14.7A (DC)
- Прямое напряжение: 2V @ 6A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 70ns
- Ток утечки: 50µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4-1
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 70V
- Прямое напряжение: 1V @ 15mA
- Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- Время обратного восстановления (trr): 100ps
- Ток утечки: 100nA @ 50V
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 70mA (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: PG-SC79-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 23.2
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
- Средний выпрямленный ток (Io): 250mA (DC)
- Прямое напряжение: 1V @ 100mA
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 4ns
- Ток утечки: 100nA @ 50V
- Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Прямое напряжение: 1.55V @ 300A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 40mA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 96A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: PG-SOT363-PO
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Прямое напряжение: 1.25V @ 150mA
- Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- Время обратного восстановления (trr): 4ns
- Ток утечки: 150nA @ 70V
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
- Конфигурация диода: 2 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200mA (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: PG-TO220-2-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 6A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 4-PowerTSFN
- Тип корпуса: PG-VSON-4
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 2A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 35µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Sawn on foil
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 9A (DC)
- Прямое напряжение: 1.6V @ 9A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 27µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100